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高纯氧化镁降低 MLCC 介质介电损耗

点击数:92026-09-16 11:36:39 来源: 氧化镁|碳酸镁|轻质氧化镁|河北镁神科技股份有限公司

新闻摘要:在高频通信电路中,MLCC 的介电损耗会造成信号衰减、元器件发热,影响电路信号传输质量,降低介电损耗是 MLCC 研发的重要方向,高纯氧化镁作为陶瓷介质改性助剂,能够有效优化该指标。

  在高频通信电路中,MLCC 的介电损耗会造成信号衰减、元器件发热,影响电路信号传输质量,降低介电损耗是 MLCC 研发的重要方向,高纯氧化镁作为陶瓷介质改性助剂,能够有效优化该指标。河北镁神科技股份有限公司专注电子陶瓷专用镁系粉体,推出适配 MLCC 介质配方的高纯氧化镁产品,助力通信、射频元器件企业优化电容高频性能。


  介电损耗来源于陶瓷内部杂质离子迁移、晶界缺陷等因素。在 MLCC 陶瓷粉体配料阶段,添加定量高纯氧化镁,镁离子掺杂进入钛酸钡晶格,稳定晶体结构,减少交变电场下晶格内部能量损耗,降低高频条件下的介电损耗。在 5G 射频模块、高速信号电路板的 MLCC 元器件中,低损耗介质能够减少信号传输过程能量消耗,降低电容本体发热,保障高频信号完整传输。

  原料杂质是造成介电损耗升高的重要诱因。铁、锰、钾、钠等杂质离子在交变电场中会产生额外损耗,导致高频下器件温升明显。镁神 MLCC 专用高纯氧化镁经过多级提纯处理,将各类有害微量杂质控制在低水平,粉体团聚少,混料时均匀分散于陶瓷原料体系,避免局部杂质聚集。粉体粒度经过精细分级,颗粒形貌规整,在球磨、流延成型工序适配性好,不会影响陶瓷浆料稳定性。

  在烧结环节,氧化镁能够调控晶粒生长速度,控制晶粒过度长大,形成细晶均匀微观结构。细晶结构能够减少晶界缺陷,降低界面损耗,让介质在宽频率范围维持较低损耗水平。同时,氧化镁拓宽陶瓷烧结窗口,降低烧结工艺波动带来的介电损耗批次差异,提升 MLCC 成品性能一致性。

  河北镁神持续与电子陶瓷研发机构、MLCC 生产企业开展材料适配测试,针对不同频段应用需求,提供粉体选型与配方调试支持,助力国产高频 MLCC 性能升级,支撑通信电子产业链发展。

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