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氧化镁掺杂对各种陶瓷性能的影响

点击数:5412023-12-11 09:08:03 来源: 氧化镁|碳酸镁|轻质氧化镁|河北镁神科技股份有限公司

新闻摘要:包覆剂氧化镁能有效阻碍晶粒长大,从而获得晶粒均匀的陶瓷,此细晶效应是由于晶界区氧化镁的阻碍作用;氧化镁有助于形成壳一芯结构晶粒,降低并展宽BaTiO3基陶瓷的峰,增加电阻率和击穿电压强度。

  氧化镁掺杂对氧化锌线性陶瓷的影响
  工业制造中的氧化锌线性陶瓷电阻具有电阻率变化范围大,通流密度大,非线性系数低,电阻温度系数小的优点,广泛应用于电力-电子、交通、通信及家用电器等方面。但传统的氧化锌复合陶瓷仍存在许多问题,如结构均匀性差、工业生产重复率低、稳定性差、理论研究不充分等。
  研究了氧化镁掺杂对氧化锌线性陶瓷电阻非线性系数、电阻率以及阻温系数的影响,结果表明:氧化镁的添加有助于改善氧化锌陶瓷电阻的阻温系数,适量的氧化镁可促进烧结,提高陶瓷的致密度,但过量添加反而会使陶瓷致密度下降。
  利用固相烧结法制备出基础配方为ZnO‒Al2O3‒氧化镁‒Fe2O3‒TiO2‒SiO2的氧化锌线性陶瓷电阻。研究了氧化镁掺杂量对氧化锌线性陶瓷电阻微观结构、阻抗、阻温特性和阻频特性的影响。实验也得出了在氧化锌线性陶瓷电阻中,适量的掺杂氧化镁可以有效提高样品的电阻率和阻温系数的结论。
  氧化镁对铁电陶瓷的影响
  1、氧化镁对钛酸锶钡陶瓷的结构和性能的影响
  钛酸锶钡(BST)铁电陶瓷材料以它的高可调性和低介电损耗在作为相控阵中的移相器和微波频率下的可调器件有非常好的应用前景。
  由于目前的各种铁电材料均存在某些方面的不足,通过各种手段提高其综合性能,成为钛酸锶钡材料实现大规模应用需要解决的关键问题。
  除了用稀土元素离子进行A位掺杂取代,氧化镁、MgTiO3、Mg2SiO4等化合物加入到BST陶瓷和薄膜中也可以降低其介电常数和介电损耗。
  2、氧化镁对BaTiO3基陶瓷性能的影响
  采用均匀沉淀法将氧化镁均匀地包覆在BaTiO3基陶瓷粉体表面,制备包覆氧化镁的BaTiO3基陶瓷复合粒子,研究了不同包覆量对BaTiO3基陶瓷的微观结构、微观形貌、介电性能、绝缘性能和击穿电压的影响。

  实验表明:包覆剂氧化镁能有效阻碍晶粒长大,从而获得晶粒均匀的陶瓷,此细晶效应是由于晶界区氧化镁的阻碍作用;氧化镁有助于形成壳一芯结构晶粒,降低并展宽BaTiO3基陶瓷的峰,增加电阻率和击穿电压强度。

氧化镁

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